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Manufacturer：
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Additional Feature：
Avalanche Energy Rating (Eas)：
Configuration：
Continuous Drain Current (ID)：
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
Current Rating：
Drain Current-Max (Abs) (ID)：
Drain to Source Breakdown Voltage：
Drain to Source Voltage (Vdss)：
Drain-source On Resistance-Max：
DS Breakdown Voltage-Min：
Factory Lead Time：
Fall Time (Typ)：
FET Type：
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
Gate to Source Voltage (Vgs)：
Height：
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
JEDEC-95 Code：
JESD-30 Code：
JESD-609 Code：
Length：
Max Power Dissipation：
Moisture Sensitivity Level (MSL)：
Number of Elements：
Number of Pins：
Number of Terminations：
Operating Temperature：
Package / Case：
Part Status：
Pbfree Code：
Peak Reflow Temperature (Cel)：
Pin Count：
Power - Max：
Power Dissipation：
Published：
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：
Qualification Status：
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
Reach Compliance Code：
REACH SVHC：
Rise Time：
RoHS Status：
Series：
Supplier Device Package：
Terminal Finish：
Terminal Form：
Threshold Voltage：
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：
Turn On Delay Time：
Turn-Off Delay Time：
Vgs(th) (Max) @ Id：
Voltage - Rated DC：
Weight：
Width：
Filter：
21 Records
Image Part Manufacturer Description Price Stock Action
SIA537EDJ-T1-GE3
SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
-
RFQ
38,110
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